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IXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q
(资料图片仅供参考)
型号：IXFH4N100Q
品牌：IXYS/艾赛斯
封装：TO-247
最大漏源电流：4A
漏源击穿电压：1000V
RDS（ON）Max：3Ω
引脚数量：3
工作温度：-55℃~150℃
沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管
IXFH4N100Q特点
低栅极电荷和电容
-更易于驾驶
-更快的切换
国际标准包装
RDS低（打开）
无阻尼感应开关（UIS）
额定的，额定的
可燃性分类
IXFH4N100Q概述：
IXFH4N100Q是最受欢迎的功率MOSFET适用于硬开关和谐振模式应用，提供低栅极电荷和快速本征二极管的优异耐用性。有许多标准工业包装可供选择，包括隔离型。
关键词：
